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KM23SV64205T-30 PDF预览

KM23SV64205T-30

更新时间： 2024-01-29 21:57:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1121K
描述
MASK ROM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, 0.5 MM PITCH, TSOP2-86

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KM23SV64205T-30 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数：86Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：6 ns
其他特性：CONFIGURABLE AS 4M X 16备用内存宽度：16
JESD-30 代码：R-PDSO-G86JESD-609代码：e0
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：32
功能数量：1端子数量：86
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSSOP86,.46,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00015 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM23SV64205T-30 数据手册

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Advance Information  
KM23SV64205T  
Synch. MROM  
2Mx32 Synchronous MASKROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· JEDEC standard 3.3V power supply  
· LVTTL compatible with multiplexed address  
· Address: Row address: RA0 ~ RA12  
Column address: CA0 ~ CA7 (x32): CA0 ~ CA8 (x16)  
· Switchable organization  
The KM23SV64205T is a synchronous high bandwidth mask  
programmable ROM fabricated with SAMSUNG¢s high perfor-  
mance CMOS process technology and is organized either as  
4,194,304 x16bit(word mode) or as 2,097,152 x32bit(double  
word mode) depending on polarity of WORD pin.(see pin func-  
tion description). Synchronous design allows precise cycle con-  
trol, with the use of system clock, I/O transactions are possible  
on every clock cycle. Range of operating frequencies, program-  
mable burst length and programmable latencies allow the same  
device to be useful for a variety of high bandwidth, high perfor-  
mance memory system applications.  
4,194,304 x 16(word mode) /  
2,097,152 x 32(double word mode)  
· All inputs are sampled at the rising edge of the system clock  
· Read Performance at memory point of view  
@33MHz 4-1-1-1 (RAS Latency=1, CAS Latency=3)  
@50MHz 5-1-1-1 (RAS Latency=1, CAS Latency=4)  
@66MHz 5-1-1-1 (RAS Latency=1, CAS Latency=4)  
@83MHz 7-1-1-1 (RAS Latency=2, CAS Latency=5)  
@100MHz 7-1-1-1 (RAS Latency=2, CAS Latency=5)  
· tSAC : 6ns  
ORDERING INFORMATION  
· MRS cycle with address key programs  
-. RAS Latency(1 & 2)  
Part NO.  
MAX Freq.  
100MHz  
83MHz  
Interface  
Package  
-. CAS Latency(3 ~ 6)  
KM23SV64205T-10  
KM23SV64205T-12  
KM23SV64205T-15  
KM23SV64205T-20  
KM23SV64205T-30  
-. Burst Length : 4, 8  
-. Burst Type : Sequential & Interleaved  
· DQM for data-out masking  
· Package :86TSOP2 - 400  
LVTTL  
86TSOP2  
66MHz  
50MHz  
33MHz  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Q0  
Q16  
Q15  
Q31  
.
.
.
Output  
Buffer  
2M x 32  
Cell Array  
CLK  
ADD  
Column Decoder  
Latency & Burst Length  
Programming Register  
LCKE  
LRAS  
CKE  
LMR  
LCAS  
Timing Register  
RAS  
CLK  
MR  
CAS  
CS  
DQM  
* Samsung Electronics reserves the right to  
change products or specification without notice.  
1234567...28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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