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KM23SV32205T-30

更新时间： 2024-01-24 20:00:26

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	986K
描述
MASK ROM, 1MX32, 10ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, 0.5 MM PITCH, TSOP2-86

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KM23SV32205T-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数：	86	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 32	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	86
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

KM23SV32205T-30 数据手册

KM23SV32205T

Synch. MROM

1M x32 Synchronous MASKROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· JEDEC standard 3.3V power supply

· LVTTL compatible with multiplexed address

· Switchable organization

The KM23SV32205T is a synchronous high bandwidth mask

programmable ROM fabricated with SAMSUNG¢s high perfor-

mance CMOS process technology and is organized either as

2,097,152 x16bit(word mode) or as 1,048,576 x32bit(double

word mode) depending on polarity of WORD pin.(see pin func-

tion description). Synchronous design allows precise cycle con-

trol, with the use of system clock, I/O transactions are possible

on every clock cycle. Range of operating frequencies, program-

mable burst length and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth, high perfor-

mance memory system applications.

2,097,152 x 16(word mode) /

1,048,576 x 32(double word mode)

· All inputs are sampled at the rising edge of the system clock

· Read Performance from memory point of view

4-1-1-1 @33MHz (RAS Latency=1, CAS Latency=3)

5-1-1-1 @50MHz (RAS Latency=1, CAS Latency=4)

7-1-1-1 @66MHz (RAS Latency=2, CAS Latency=5)

tSAC : 10ns(Targetting 9ns)

· MRS cycle with address key programs

-. RAS Latency(1 & 2)

-. CAS Latency(2 ~ 6)

-. Burst Length : 4, 8

-. Burst Type : Sequential & Interleaved

· DQM for data-out masking

· Package :86TSOP2 - 400

ORDERING INFORMATION

Part NO.

MAX Freq.

66MHz

Interface

Package

KM23SV32205T-15

KM23SV32205T-20

KM23SV32205T-30

LVTTL

86TSOP2

50MHz

33MHz

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Q16

Q15

Q31

Output

Buffer

1M x 32

Cell Array

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

Programming Register

LCKE

LRAS

CKE

LMR

LCAS

Timing Register

RAS

CLK

CAS

DQM

* Samsung Electronics reserves the right to

change products or specification without notice.

12 3 4 5 6 7...25

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