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KM23C16000DET-15 PDF预览

KM23C16000DET-15

更新时间： 2024-01-16 13:54:49
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
MASK ROM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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KM23C16000DET-15 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.45
最长访问时间：150 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 1M X 16
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：18.41 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：44字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
组织：2MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

KM23C16000DET-15 数据手册

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Preliminary  
CMOS MASK ROM  
KM23C16000D(E)T  
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
2,097,152 x 8(byte mode)  
1,048,576 x 16(word mode)  
· Fast access time : 100ns(Max.)  
· Supply voltage : single +5V  
· Current consumption  
Operating : 70mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
· Fully static operation  
The KM23C16000D(E)T is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 2,097,152x8 bit(byte mode) or as  
1,048,576x16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device operates with a 5V single power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
-. KM23C16000D(E)T : 44-TSOP2-400  
The KM23C16000D(E)T is packaged in a 44-TSOP2.  
PRODUCT INFORMATION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Operating  
Temp Range  
Vcc Range  
(Typical)  
Speed  
(ns)  
Product  
A19  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(1,048,576x16/  
2,097,152x8)  
KM23C16000DT  
KM23C16000DET  
0°C~70°C  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
5.0V  
100  
.
.
.
.
.
.
.
.
-20°C~85°C  
PIN CONFIGURATION  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
DATA OUT  
BUFFERS  
A0  
N.C  
1
N.C  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
A-1  
A18  
2
3
A19  
A8  
A17  
A7  
.
.
.
4
A9  
A6  
A5  
A4  
A3  
A10  
A11  
5
CE  
OE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
6
CONTROL  
LOGIC  
7
38 A12  
37 A13  
BHE  
8
A14  
36  
A2  
A1  
9
A15  
35  
10  
11  
A0  
A16  
34  
33  
TSOP2  
CE 12  
BHE  
Pin Name  
A0 - A19  
Pin Function  
Address Inputs  
Data Outputs  
VSS  
13  
32 VSS  
OE 14  
Q15/A-1  
31  
30  
Q7  
Q0  
15  
Q0 - Q14  
Q8  
Q1  
Q9  
16  
29 Q14  
28 Q6  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
17  
18  
Q13  
Q5  
27  
26  
25  
24  
23  
Q2 19  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q3  
21  
22  
Q11  
OE  
Output Enable  
Power ( +5V)  
Ground  
VCC  
VCC  
VSS  
N.C  
KM23C16000D(E)T  
No Connection  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23C16000DT-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX8, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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 		MASK ROM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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