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KF50N06P

更新时间： 2024-11-22 11:29:35

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KEC		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF50N06P 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.017 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KF50N06P 数据手册

KF50N06P

SEMICONDUCTOR

N CHANNEL MOS FIELD

EFFECT TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

General Description

This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast

switching time, low on resistance, low gate charge and excellent

avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor

correction , electronic lamp ballasts based on half bridge topology and

switching mode power supplies.

DIM MILLIMETERS

9.9 + 0.2

15.95 MAX

1.3+0.1/-0.05

0.8 + 0.1

3.6 0.2

FEATURES

2.8 + 0.1

V_DSS= 60V, I_D= 50A

3.7

0.5+0.1/-0.05

1.5

Drain-Source ON Resistance :

R_DS(ON)=17m (Max.) @V_GS= 10V

Qg(typ.) = 39.5nC

13.08 + 0.3

1.46

1.4 0.1

1.27 0.1

2.54 0.2

4.5 0.2

MOSFET MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise noted)

2.4 0.2

9.2 +0.2

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

CHARACTERISTIC

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

@T_C=25℃

SYMBOL

V_DSS

RATING

UNIT

V_GSS

±20

TO-220AB

I_D*

Drain Current

@T_C=100℃

I_DP

Pulsed (Note1)

170

Single Pulsed Avalanche Energy

(Note 2)

E_AS

330

Repetitive Avalanche Energy

(Note 1)

E_AR

Peak Diode Recovery dv/dt

(Note 3)

dv/dt

4.5

V/ns

0.77

W/℃

℃

Tc=25℃

Drain Power

Dissipation

P_D

Derate above 25℃

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

Thermal Characteristics

R_thJC

R_thJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.3

℃/W

Thermal Resistance,

Junction-to-Ambient

62.5

* : Drain current limited by maximum junction temperature.

PIN CONNECTION

2009. 5. 6

Revision No : 0

1/6

12 3 4 5 6

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