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KBPC3508T

更新时间： 2024-11-17 01:05:11
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 314K
描述
Single Phase Silicon Bridge Rectifier

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KBPC3508T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.11配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：35 A
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
Base Number Matches：1

KBPC3508T 数据手册

 浏览型号KBPC3508T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBPC3508T的Datasheet PDF文件第3页 
KBPC3506T/W thru KBPC3510T/W  
VRRM = 600 V - 1000 V  
IO = 35 A  
Single Phase Silicon  
Bridge Rectifier  
Features  
• High efficiency  
• Silicon junction  
• Metal case  
• Types from 600 V to 1000 V VRRM  
KBPC-T/W Package  
• Not ESD Sensitive  
Mechanical Data  
Case: Mounted in the bridge encapsulation  
Mounting: Hole for #10 screw  
Polarity: Marked on case  
Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified (KBPCXXXXT uses KBPC-T package while KBPCXXXXW  
uses KBPC-W package)  
Conditions  
KBPC3510T/W  
Parameter  
Symbol  
KBPC3506T/W  
KBPC3508T/W  
Unit  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Tj  
1000  
700  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
600  
420  
800  
560  
V
V
1000  
DC blocking voltage  
600  
800  
V
-55 to 150  
-55 to 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified  
Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load  
For capacitive load derate current by 20%  
Conditions  
KBPC3510T/W  
Parameter  
Symbol  
KBPC3506T/W  
KBPC3508T/W  
Unit  
Maximum average forward rectified  
current  
Tc = 55 °C  
IO  
35  
400  
1.1  
35  
400  
1.1  
35  
400  
1.1  
A
8.3 ms half sine-wave  
IF = 17.5 A  
IFSM  
VF  
Peak forward surge current  
Maximum instantaneous forward  
voltage per leg  
A
V
Tc = 25 °C  
5
5
5
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
IR  
μA  
Tc = 100 °C  
500  
300  
500  
300  
500  
300  
Typical junction capacitance 1  
Thermal characteristics  
Typical thermal resistance 2  
Cj  
pF  
RΘJC  
°C/W  
1.4  
1.4  
1.4  
1 - Measured ay 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V D.C.  
2 - Device mounted on 300 mm x 300 mm x 1.6 mm Cu plate heatsink  
1
www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/  
123

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KBPC3508T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KBPC3508W GENESIC

完全替代

 Single Phase Silicon Bridge Rectifier
GBPC3508-G COMCHIP

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