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KBP207G PDF预览

KBP207G

更新时间： 2024-02-01 09:18:39
品牌 Logo 应用领域
DIOTECH 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 810K
描述
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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KBP207G 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.48
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

KBP207G 数据手册

 浏览型号KBP207G的Datasheet PDF文件第2页 
KBP201G THRU KBP207G  
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts  
Forward Current - 2.0 Ampere  
FEATURES  
KBP  
●
●
Ideal for printed circuit board  
Surge overload rating: 60A peak  
High case dielectric strength  
High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at 5lbs. (2.3kg) tension  
.460(11.68)  
.420(10.6)  
●
●
AC  
.5 (12.7)  
MIN  
.035(0.9)  
.028(0.7)  
.160(4.1)  
.140(3.6)  
SPACING  
MECHANICAL DATA  
.600(15.24)  
.560(14.22)  
●
Case: UL-94 Class V-0 recognized Flame Retardant Epoxy  
●
Terminals  
:
Plated leads solderable per  
MIL-STD 202, method 208  
●
Mounting Position: Any  
.153(3.9)  
.146(3.7)  
.050(1.27)  
●
●
Weight: 1.70 g  
Marking: Type Number  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
KBP205G KBP206G KBP207G  
KBP204G  
400  
KBP201G KBP202G KBP203G  
V
RRM  
RMS  
100  
70  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
50  
35  
50  
200  
140  
200  
V
V
V
V
280  
V
DC  
400  
100  
1000  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
=
25oC  
2.0  
I
O
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Maximum DC Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 2.0A DC  
I
FSM  
60  
1.1  
V
F
V
Maximum Reverse Current at rated  
10.0  
500  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
I
R
μA  
DC Blocking Voltage per element  
-55 to + 150  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
12

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