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KBP08G-E

更新时间： 2024-01-08 17:00:53

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海湾 - GULFSEMI		二极管
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2页	105K
描述
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 800V Current:1.5A

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KBP08G-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.14
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-W4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

KBP08G-E 数据手册

KBP08G-E

SINGLE PHASE GLASS

PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Voltage: 800V

Current:1.5A

KBP

Features

Glass passivated chip junction

High case dielectric strength

High surge current capability

Ideal for printed circuit board

Halogen Free

Mechanical Data

Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E,

Method 208C

Case: UL-94 Class V-0 recognized Halogen Free Epoxy

Polarity: Polarity symbol marked on body

Mounting position: any

Dimensions in millimeters

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,

for capacitive load, derate current by 20%)

Symbol

KBP08G-E

units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Vrrm

Vrms

Vdc

800

560

800

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified output current

If(av)

Ifsm

1.5

Ta = 40℃

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage drop per leg at

2.0A

1.1

I²t

A²Sec

Rating for fusing (t < 8.3ms)

5.0

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per leg

Ta = 25°C

Ta = 125°C

µA

500

Typical Thermal Resistance

(Note 1)

(Note 2)

Rth(ja)

Rth(jl)

Rth(jc)

8.0

℃/W

10.0

Typical junction capacitance per leg at 4.0V,1MHz

Operating junction and storage temperature range

Tj, Tstg

-55 to +150

℃

Note:

1. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to Lead Mounted on P.C.B. with 0.4″×0.4″(10×10mm)copper pads

2. Thermal Resistance from Junction to Case Mounted on heatsink

Rev.A1

www.gulfsemi.com

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