KBP08M

更新时间： 2024-01-15 21:50:16

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WTE		整流二极管桥式整流二极管
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3页	38K
描述
1.5A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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KBP08M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.14
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSIP-W4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

KBP08M 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

KBP005M – KBP10M

1.5A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

KBP

Min

Dim

Max

15.24

11.68

—

14.22

10.67

15.2

4.57

3.60

2.16

0.76

1.52

11.68

12.7

5.08

4.10

2.67

0.86

—

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight: 1.7 grams (approx.)

Mounting Position: Any

12.7

—

3.2 x 45° Typical

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

KBP

005M

KBP

01M

KBP

02M

KBP

04M

KBP

06M

KBP

08M

KBP

10M

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

1.5

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 50°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage (per element)

@I_F= 1.5A

V^FM

I^RM

1.1

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

500

µA

Rating for Fusing (t<8.3ms)

I²^t

C^j

A²s

Typical Junction Capacitance per element (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

R^ꢀ^JA

T^j,T^STG

K/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

3. Thermal resistance junction to ambient mounted on PC board with 12mm²copper pad.

KBP005M – KBP10M

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与KBP08M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBP08M/72-E4	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN,
KBP08ME4	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN,
KBP08M-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM
KBP08MP	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBPM, 4 PIN
KBP08RS206	SHUNYE	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP08-RS206	PINGWEI	获取价格	SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBP10	DAESAN	获取价格	CURRENT 2.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts
KBP10	BL Galaxy Electrical	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP10	GOOD-ARK	获取价格	SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
KBP10	DCCOM	获取价格	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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