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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> KBP08M
KBP08M PDF预览

KBP08M

更新时间： 2024-09-28 04:22:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 44K
描述
Bridge Rectifiers

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KBP08M 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：800 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：165 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE最大功率耗散：3.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

KBP08M 数据手册

 浏览型号KBP08M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBP08M的Datasheet PDF文件第3页 
KBP005M/3N246 - KBP10M/3N252  
Features  
• Surge overload rating: 50 amperes  
peak.  
• Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique.  
~
~
-
• UL certified, UL #E111753.  
+
KBPM  
Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
005M 01M 02M 04M 06M 08M 10M  
Symbol  
Parameter  
Units  
246  
50  
247  
100  
70  
248  
200  
140  
200  
249  
400  
280  
400  
250  
600  
420  
600  
251  
800 1000  
560 700  
800 1000  
252  
VRRM  
VRMS  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
V
V
35  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
50  
100  
IF(AV)  
Average Rectified Forward Current,  
@ TA = 50°C  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
1.5  
50  
A
A
IFSM  
Storage Temperature Range  
-55 to +165  
-55 to +165  
C
C
Tstg  
TJ  
°
°
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,* per leg  
3.5  
40  
W
RθJA  
C/W  
°
*Device mounted on PCB with 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Device  
Units  
VF  
Forward Voltage, per bridge @ 1.0 A  
@ 3.14 A  
1.0  
1.3  
V
V
IR  
Reverse Current, total bridge @ rated VR  
5.0  
500  
A
A
A2s  
µ
µ
T = 25 C  
°
A
T = 100 C  
°
A
I2t rating for fusing  
t < 8.35 ms  
10  
15  
CT  
Total Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
pF  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
KBP005M/3N246-KBP10M/3N252, Rev. C  
123

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KBP08M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RS204L RECTRON

功能相似

 SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Ampere)
RS203L RECTRON

功能相似

 SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Ampere)

与KBP08M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBP08M/72-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN,
KBP08ME4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN,
KBP08M-LF WTE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM
KBP08MP MCC

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBPM, 4 PIN
KBP08RS206 SHUNYE

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP08-RS206 PINGWEI

获取价格

 		SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBP10 DAESAN

获取价格

 		CURRENT 2.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts
KBP10 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP10 GOOD-ARK

获取价格

 		SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
KBP10 DCCOM

获取价格

 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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