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KBL08

更新时间: 2024-02-08 16:35:06
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2页 131K
描述
4.0A SINGLE - PHASE SILICON BRIDGE

KBL08 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSIP-W4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:800 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:4 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
最大重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE

KBL08 数据手册

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