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KBJ4M

更新时间： 2024-02-09 10:49:45
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DAESAN 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 240K
描述
CURRENT 4.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBJ4M 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
最小击穿电压：1000 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

KBJ4M 数据手册

 浏览型号KBJ4M的Datasheet PDF文件第2页 
CURRENT 4.0 Amperes  
VOLTAGE 50 to 1000 Volts  
KBJ4A THRU KBJ4M  
Features  
P
N
· Glass Passivated Die Construction  
· High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
· Low Reverse Leakage Current  
A
H
· Surge Overload Rating to 120A Peak  
· Ideal for Printed Circuit Board Applications  
· Plastic Material - UL Flammability Classification 94V-0  
C
B
L
_
M
K
J
E
R
D
G
Mechanical Data  
K B J  
Dim  
A
Min  
Max  
Dim  
J
Min  
3.30  
1.50  
Max  
· Case : Molded Plastic  
· Terminals : Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
24.80  
14.70  
25.20  
15.30  
3.70  
1.90  
B
K
L
C
4.00 Nominal  
9.30  
2.50  
3.40  
4.40  
0.60  
9.70  
2.90  
3.80  
4.80  
0.80  
17.20  
0.90  
7.30  
17.80  
1.10  
7.70  
M
N
P
· Polarity : Molded on Body  
D
· Mounting : Through Hole for #6 Screw  
· Mounting Torque : 5.0 in-Ibs Maximum  
· Approx. Weight : 4.6 grams  
E
G
O
/
O
3.40  
R
H
3.10  
/
All Dimens ions in mm  
· Marking : Type Number  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
load. For capacitive load, derate by 20%)  
KBJ  
4A  
KBJ  
4B  
KBJ  
4D  
KBJ  
4G  
KBJ  
4J  
KBJ  
4K  
KBJ  
4M  
Symbols  
Units  
Peak Repetitive Reverse voltage  
Working Peak Reverse voltage  
DC Blocking voltage  
V
V
V
RMM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
Volts  
R
RMS Reverse voltage  
V
R(RMS)  
280  
4.0  
Volts  
Average Rectified Output Current @ T  
C
=115  
Io  
Amps  
℃
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
8.3ms single half-sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
120  
Amps  
V
FM  
1.0  
Volts  
Forward voltage per element  
@ IF=2.0 A  
@ T  
C
C
=25℃  
5.0  
Peak Reverse Current at Rated  
DC Blocking voltage  
I
R
μA  
@ T  
=125℃  
500  
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 1)  
Cj  
40  
pF  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
5.5  
℃/W  
RθJA  
T
STG  
j
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
℃
T
Notes:  
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
(2) Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 300 x 300 x 1.6mm aluminum plate heat sink.  
12

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