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KBJ410

更新时间： 2024-01-15 05:15:53

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2页	80K
描述
4.0A Single-Phase Silicon Rectifier

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KBJ410 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	1000 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2.3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	255	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

KBJ410 数据手册

Rating and Characteristic Curves ( TA= 25^oC Unless otherwise noted )

KBJ4005 thru KBJ410

Fig. 2 Maximum Non-repetitive Peak

Fig. 1 Derating Curve for

Output Rectified Current

Forward Surge Current

4.0

60Hz Resistive of

Inductive Load

8.3ms

Single half-sine-Wave

[JEDEC Method]

120

3.0

2.0

1.0

100

150

Number of Cycles at 60HZ

Case Temperature, C

Fig. 3 Typical Instantaneous

Forward Characteristics

Fig. 4 Typical Reverse

Characteristics at Tj=25^oC

1.0

0.1

Tc= 100 C

1.0

TA= 25 C

.01

0.1

100

120

140

Percent of Rated Peak Reverse

Voltage, %

Tj= 25 C

Pulse Width= 300us

2% duty cycle

Fig. 5 Typical Junction Capacitance

.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1000

Instantaneous Forward

Voltage, Volts

Tj= 25 C

f= 1.0MHz

= 50mV p.p.

ing

100

1.5

100

Reverse Voltage, Volts

www.asemi.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KBJ410A	YANGJIE	4KBJ	获取价格
KBJ410-BP-HF	MCC	Bridge Rectifier Diode,	获取价格
KBJ410G	AMERICASEMI	BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
KBJ410G	CHENG-YI	SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE	获取价格
KBJ410G	MIC	SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
KBJ410G	FUJI	4 AMP GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER	获取价格