5秒后页面跳转
KBA0401A0M-T401 PDF预览

KBA0401A0M-T401

更新时间: 2024-01-24 18:51:49
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 1039K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA80, 11 X 10 MM, TBGA-80

KBA0401A0M-T401 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:LFBGA, BGA80,9X12,32针数:80
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.84最长访问时间:85 ns
其他特性:ALSO CONTAINS 2M X 16 UTRAM AND 512K X 16 SRAMJESD-30 代码:R-PBGA-B80
长度:11 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:16
混合内存类型:FLASH+PSRAM+SRAM功能数量:1
端子数量:80字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA80,9X12,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm最大待机电流:0.000006 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM宽度:10 mm
Base Number Matches:1

KBA0401A0M-T401 数据手册

 浏览型号KBA0401A0M-T401的Datasheet PDF文件第1页浏览型号KBA0401A0M-T401的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBA0401A0M-T401的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KBA0401A0M-T401的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KBA0401A0M-T401的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KBA0401A0M-T401的Datasheet PDF文件第7页 
KBA0101A0M / KBA0201A0M  
KBA0301A0M / KBA0401A0M  
Preliminary  
MCP MEMORY  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
128-word Page Buffer  
Bank4 : 56 blocks  
Bank3 : 56 blocks  
Bank2 : 8 blocks  
Bank1 : 15 blocks  
Y-Gate / Sense Amp.  
A0 ~ A18  
(Common)  
F-Vcc  
Vss  
A19, A20  
Decorder  
A21  
OE  
Status/ ID Register  
WE  
Multi Plexer  
Command  
User  
Interface  
Write  
State  
Machine  
F-CE1  
F-WP  
I/O Buffer  
128-word Page Buffer  
Bank4 : 56 blocks  
Bank3 : 56 blocks  
Bank2 : 8 blocks  
Bank1 : 15 blocks  
Y-Gate / Sense Amp.  
F-RP  
Decorder  
F-CE2  
Status/ ID Register  
Multi Plexer  
Command  
User  
Interface  
Write  
State  
Machine  
I/O Buffer  
DQ0  
to  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
DQ15  
UBu  
LBu  
ZZ  
UtRAM  
Main Cell Array  
(2M x16)  
Row  
select  
CSu  
VccQU  
VccU  
Data  
cont  
Control  
logic  
I/O Circuit  
Column select  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
UBs  
LBs  
CS1S  
CS2S  
SRAM  
Main Cell Array  
(512K x16)  
Row  
select  
Data  
cont  
Control  
logic  
I/O Circuit  
Column select  
VccS  
Revision 0.1  
February 2002  
- 4 -  

与KBA0401A0M-T401相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
KB-A100SRW KINGBRIGHT LED LIGHT BARS

获取价格

KBA-20 MINI Surface Mount Frequency Doublers 1.6 to 4.8 GHz

获取价格

KBA-20_40 MINI Surface Mount Frequency Doublers 1.6 to 4.8 GHz

获取价格

KBA-20+ MINI Frequency Doubler, 3200MHz Min, 4400MHz Max, 15.8dB Conversion Loss-Max, ROHS COMPLIANT, C

获取价格

KBA2338 KINGBOR 3W F ilterless C lass-D Audio Power Amplifie r

获取价格

KBA2338-WCSP KINGBOR 3W F ilterless C lass-D Audio Power Amplifie r

获取价格