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KAI-16050-QXA-JD-B2

更新时间： 2024-11-24 00:54:11
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安森美 - ONSEMI 传感器换能器
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33页 842K
描述
Interline CCD Image Sensor

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KAI-16050-QXA-JD-B2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：28 weeks 6 days风险等级：5.64
其他特性：IT HAS A SENSITIVITY OF 34 MICRO VOLT PER ELECTRON阵列类型：INTERLINE
主体宽度：45.34 mm主体长度或直径：47.24 mm
动态范围：64 dB水平像素：4964
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-50 °C封装形状/形式：RECTANGULAR
像素大小：5.5X5.5 µm电源：15 V
传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CCD子类别：CCD Image Sensors
最大供电电压：15.5 V最小供电电压：14.5 V
表面贴装：NO端接类型：SOLDER
垂直像素：3332Base Number Matches：1

KAI-16050-QXA-JD-B2 数据手册

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KAI-16050  
4896 (H) x 3264 (V)  
Interline CCD Image Sensor  
Description  
The KAI−16050 Image Sensor is a 16−megapixel CCD in an  
APS−H optical format. Based on the TRUESENSE 5.5 micron  
Interline Transfer CCD Platform, the sensor features broad dynamic  
range, excellent imaging performance, and a flexible readout  
architecture that enables use of 1, 2, or 4 outputs for full resolution  
readout up to 8 frames per second. A vertical overflow drain structure  
suppresses image blooming and enables electronic shuttering for  
precise exposure control.  
www.onsemi.com  
The sensor is available with the TRUESENSE Sparse Color Filter  
Pattern, a technology which provides a 2x improvement in light  
sensitivity compared to a standard color Bayer part.  
The sensor shares common PGA pin−out and electrical  
configurations with other devices based on the TRUESENSE  
5.5 micron Interline Transfer CCD Platform, allowing a single camera  
design to be leveraged to support multiple members of this sensor  
family.  
Figure 1. KAI−16050 CCD Image Sensor  
Table 1. GENERAL SPECIFICATIONS  
Parameter  
Architecture  
Total Number of Pixels  
Number of Effective Pixels  
Number of Active Pixels  
Pixel Size  
Typical Value  
Interline CCD; Progressive Scan  
4964 (H) x 3332 (V)  
4920 (H) x 3288 (V)  
4896 (H) x 3264 (V)  
Features  
• Bayer Color Pattern, TRUESENSE Sparse  
Color Filter Pattern, and Monochrome  
Configurations  
5.5 mm (H) x 5.5 mm (V)  
Active Image Size  
26.93 mm (H) x 17.95 mm (V)  
• Progressive Scan Readout  
32.36 mm (diag.) APS−H Format  
• Flexible Readout Architecture  
• High Frame Rate  
Aspect Ratio  
3:2  
Number of Outputs  
Charge Capacity  
Output Sensitivity  
1, 2, or 4  
20,000 electrons  
• High Sensitivity  
−
34 mV/e  
• Low Noise Architecture  
• Excellent Smear Performance  
• Package Pin Reserved for Device  
Identification  
Quantum Efficiency  
Pan (−AXA, −QXA, −PXA)  
R, G, B (−FXA, −QXA)  
R, G, B (−CXA, −PXA)  
43%  
28%, 35%, 38%  
29%, 35%, 37%  
Read Noise (f = 40 MHz)  
12 electrons rms  
Dark Current  
Photodiode  
VCCD  
2 electrons/s  
140 electrons/s  
Applications  
• Industrial Imaging and Inspection  
Dark Current Doubling Temp.  
Photodiode  
7°C  
9°C  
64 dB  
0.999999  
> 300 X  
Estimated −100 dB  
< 10 electrons  
40 MHz  
• Traffic  
VCCD  
• Security  
Dynamic Range  
Charge Transfer Efficiency  
Blooming Suppression  
Smear  
Image Lag  
Maximum Pixel Clock Speed  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Maximum Frame Rates  
Quad Output  
8 fps  
4 fps  
2 fps  
Dual Output  
Single Output  
Package  
72 pin PGA  
Cover Glass  
AR coated, 2 Sides  
NOTE: All parameters are specified at T = 40°C unless otherwise noted.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
August, 2015 − Rev. 7  
KAI−16050/D  
1234567...33

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