是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | VFBGA, | 针数: | 63 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | CONTAINS ADDITIONAL 256M BIT SPARE MEMORY | JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 11 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 63 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F5608Q0C-JCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, | |
K9F5608Q0C-JIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, | |
K9F5608Q0C-JIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | |
K9F5608Q0C-JIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, | |
K9F5608R0D | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608R0D-FCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608R0D-FIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608R0D-J | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608R0D-JCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F5608R0D-JCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |