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K9F5608R0D-JCB0

更新时间： 2024-11-27 23:13:11
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三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 861K
描述
32M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F5608R0D-JCB0 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B63JESD-609代码：e3
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：1
部门数/规模：2K端子数量：63
字数：33554432 words字数代码：32000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA63,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小：512 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：16K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NAND TYPEBase Number Matches：1

K9F5608R0D-JCB0 数据手册

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K9F5608R0D  
K9F5608U0D  
FLASH MEMORY  
K9F5608D0D  
K9F5608X0D  
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EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5608R0D-JCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608R0D-JCB0T SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63
K9F5608R0D-JIB0 SAMSUNG

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 		32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608R0D-JIB0000 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63
K9F5608R0D-JIB0T SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63
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