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K8S5415EZC-FE1C0

更新时间： 2024-01-06 17:58:08

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
65页	1196K
描述
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44, 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, FBGA-44

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K8S5415EZC-FE1C0 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.73
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B44	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

K8S5415EZC-FE1C0 数据手册

Rev. 1.0, Nov. 2010

K8S5615ETC

256Mb C-die NOR Flash

44FBGA, Muxed Burst, Multi Bank SLC

16M x16, 1.7V ~ 1.95V

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

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