是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FBGA, BGA44,8X14,20 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 100 ns |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B44 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
部门数/规模: | 4,255 | 端子数量: | 44 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 16MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA44,8X14,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
部门规模: | 16K,64K | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.055 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K8F5615EBM-SE1E | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44 | |
K8F5615EBM-SE1ET | SAMSUNG |
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K8F5615EBM-SE1F | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA44 | |
K8F5615ETM-DC1D | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 | |
K8F5615ETM-DC1DT | SAMSUNG |
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K8F5615ETM-DC1E | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 | |
K8F5615ETM-DC1F | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 | |
K8F5615ETM-DE1C | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 | |
K8F5615ETM-DE1CT | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 | |
K8F5615ETM-DE1D | SAMSUNG |
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Flash, 16MX16, 100ns, PBGA88 |