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K8F1315EBM-DE1F0

更新时间： 2024-02-08 04:07:53

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
68页	1527K
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Flash, 32MX16, 110ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64

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K8F1315EBM-DE1F0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	110 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION IS ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	JESD-609代码：	e1
长度：	11 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

K8F1315EBM-DE1F0 数据手册

K8F12(13)15ET(B)M

NOR FLASH MEMORY

512Mb M-die MLC NOR Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Revision 1.2

September, 2006

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