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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, BGA167,12X15,32 |
| 针数： | 167 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B167 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 4,255 |
| 端子数量： | 167 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA167,12X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 部门规模： | 16K,64K |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 10.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K8C5715EBM-DE1F | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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| K8C5715EBM-DE1F0 | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FB |
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| K8C5715EBM-FC1C | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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| K8C5715EBM-FC1D | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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| K8C5715EBM-FC1E | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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| K8C5715EBM-FE1C0 | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-167 |
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