Datasheet > K8C5715EBM-DE1E0

K8C5715EBM-DE1E0

更新时间： 2024-02-05 05:02:21

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
54页	1187K
描述
Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-167

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K8C5715EBM-DE1E0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA167,12X15,32
针数：	167	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B167
JESD-609代码：	e1	长度：	14 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	部门数/规模：	4,255
端子数量：	167	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA167,12X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.4 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10.5 mm	Base Number Matches：	1

K8C5715EBM-DE1E0 数据手册

浏览型号K8C5715EBM-DE1E0的Datasheet PDF文件第48页

浏览型号K8C5715EBM-DE1E0的Datasheet PDF文件第49页

浏览型号K8C5715EBM-DE1E0的Datasheet PDF文件第50页

浏览型号K8C5715EBM-DE1E0的Datasheet PDF文件第51页

浏览型号K8C5715EBM-DE1E0的Datasheet PDF文件第52页

浏览型号K8C5715EBM-DE1E0的Datasheet PDF文件第53页

K8C56(57)15ET(B)M

NOR FLASH MEMORY

Case5 : Start from "16N+15" address group

14th rising edge CLK

CR setting : A14=1, A13=0, A12=1, A11=0

A18=1(RDY set One cycle before data)

A0-A23

Data Bus

CLK

AVD

Additional 14 Cycle for First Word Boundary

tOER

RDY

NOTE

1) Address boundry occurs every 16 words beginning at address 000000FH , 000001FH , 000002FH , etc.

2) Address 0000000H is also a boundry crossing.

3) No additional clock cycles are needed except for 1st boundary crossing.

4) RDY setting behaves same way both case in crossing a word boundary and valid data on the output.

Figure 21. Crossing of first word boundary in burst read mode.

Revision 1.2

October 2006

- 50 -

1...51 52 5354

下载PDF

与K8C5715EBM-DE1E0相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K8C5715EBM-DE1F	SAMSUNG	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167,	获取价格
K8C5715EBM-DE1F0	SAMSUNG	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FB	获取价格
K8C5715EBM-FC1C	SAMSUNG	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167,	获取价格
K8C5715EBM-FC1D	SAMSUNG	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167,	获取价格
K8C5715EBM-FC1E	SAMSUNG	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167,	获取价格
K8C5715EBM-FE1C0	SAMSUNG	Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-167	获取价格