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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 14 X 20 MM, TQFP-100 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 117 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 37748736 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.1 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.29 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K7M321825M-QC750 | SAMSUNG | ZBT SRAM, 2MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| K7M321825M-QC75T | SAMSUNG | ZBT SRAM, 2MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| K7M321825M-QC850 | SAMSUNG | ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7M321835C | SAMSUNG | 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM |
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| K7M321835C-PC65 | SAMSUNG | 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM |
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| K7M321835C-PC650 | SAMSUNG | ZBT SRAM, 2MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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