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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| 针数： | 165 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 75497472 bit | 内存集成电路类型： | DDR SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最小待机电流： | 1.7 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K7I641884M-FC25 | SAMSUNG | DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| K7I641884M-FC30 | SAMSUNG | DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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|
| K7I641884M-FC300 | SAMSUNG | DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| K7I641884M-FC30T | SAMSUNG | Standard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165 |
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| K7I641884M-FCI16 | SAMSUNG | 72Mb DDRII SRAM Specification |
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| K7I641884M-FCI20 | SAMSUNG | 72Mb DDRII SRAM Specification |
获取价格 |
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