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K7A801800A-HC16T

更新时间： 2023-01-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器
页数	文件大小	规格书
20页	536K
描述
Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119

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K7A801800A-HC16T 数据手册

K7A803600A

K7A801800A

256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM

119BGA PACKAGE PIN CONFIGURATIONS(TOP VIEW)

K7A803600A(256Kx36)

ADSP

ADSC

VDD

VDDQ

CS2

DQc

VDDQ

DQc

VDDQ

DQd

VDDQ

DQd

DQPc

DQc

VDD

DQd

DQPd

VSS

WEc

VSS

WEd

VSS

LBO

VSS

WEb

VSS

WEa

VSS

DQPb

DQb

VDD

DQa

DQPa

DQb

VDDQ

DQb

VDDQ

DQa

VDDQ

DQa

CS1

ADV

VDD

CLK

A1*

A0*

VDD

VDDQ

Note : * A0 and A1 are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.

PIN NAME

SYMBOL

PIN NAME

SYMBOL

PIN NAME

Power Supply(+3.3V)

A0,A1

Address Inputs

VDD

VSS

Burst Count Address

Ground

ADV

Burst Address Advance

Address Status Processor

Address Status Controller

Clock

Chip Select

N.C.

No Connect

ADSP

ADSC

CLK

CS1

CS2

DQa

DQb

DQc

DQd

Data Inputs/Outputs

Data Inputs/Outpus

WEx

Byte Write Inputs

DQPa~Pd

(x=a,b,c,d)

VDDQ

Output Power Supply

(2.5V or 3.3V)

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Power Down Input

Burst Mode Control

LBO

- 5 -

July 2000

Rev 1.0

1 2 3 456 7 8...20

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