是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP32,.56 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6X1008T2D-GB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6X1008T2D-GB85 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6X1008T2D-GB850 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6X1008T2D-GB85T | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K6X1008T2D-GF55 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6X1008T2D-GF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6X1008T2D-GF70 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6X1008T2D-GF700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6X1008T2D-GF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6X1008T2D-GF850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |