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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向引出线： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T1008U2E-RB700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| K6T1008V2C | SAMSUNG |
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128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-B | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-D | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-F | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-GB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-GB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-GD10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-GD70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-GF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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