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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1-R, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T1008V2C-NF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, STSOP1-32 |
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| K6T1008V2C-RB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-RB100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| K6T1008V2C-RB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-RD10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-RD100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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| K6T1008V2C-RD70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-RF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-RF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T1008V2C-RF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-32 |
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