Datasheet > K6T1008C2E-GP700

K6T1008C2E-GP700

更新时间： 2024-02-28 10:50:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	139K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K6T1008C2E-GP700 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP32,.56
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.89	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.47 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最大待机电流：	0.000025 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

K6T1008C2E-GP700 数据手册

K6T1008C2E Family

CMOS SRAM

PACKAGE DIMENSIONS

Units: millimeters(inches)

32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)

+0.10

-0.05

20.00±0.20

0.787±0.008

0.20

0.008^+0.004

-0.002

#32

0.25

0.010

(

)

8.40

0.331

MAX

0.50

0.0197

#17

#16

1.00±0.10

0.039±0.004

0.05

0.002

MIN

1.20

MAX

0.047

0.25

0.010

18.40±0.10

0.724±0.004

TYP

+0.10

0.15

-0.05

0.006^+0.004

-0.002

0~8°

0.50

0.020

0.45 ~0.75

0.018 ~0.030

(

)

32 THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820R)

+0.10

-0.05

20.00±0.20

0.787±0.008

0.20

+0.004

-0.002

0.008

#16

#17

0.25

0.010

(

)

0.50

0.0197

#32

1.00±0.10

0.039±0.004

0.05

0.002

MIN

1.20

MAX

0.047

0.25

0.010

18.40±0.10

0.724±0.004

TYP

+0.10

-0.05

0.15

+0.004

-0.002

0.006

0~8°

0.50

0.020

0.45 ~0.75

0.018 ~0.030

(

)

Revision 3.0

March 2000

1...7 8 910

下载PDF

与K6T1008C2E-GP700相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K6T1008C2E-GQ55	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32	获取价格
K6T1008C2E-GQ55T	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32	获取价格
K6T1008C2E-GQ70T	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32	获取价格
K6T1008C2E-L	SAMSUNG	128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM	获取价格
K6T1008C2E-P	SAMSUNG	128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM	获取价格
K6T1008C2E-RB55	SAMSUNG	128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM	获取价格