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K6R4016V1D-UP10T

更新时间： 2023-01-02 23:23:29

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	225K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44

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K6R4016V1D-UP10T 数据手册

PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY

CMOS SRAM

K6R4016V1D

4Mb Async. Fast SRAM Ordering Information

Org.

Part Number

K6R4004C1D-J(K)C(I) 10

K6R4004V1D-J(K)C(I) 08/10

K6R4008C1D-J(K,T,U)C(I) 10

VDD(V)

Speed ( ns )

PKG

Temp. & Power

3.3

8/10

J : 32-SOJ

1M x4

K : 32-SOJ(LF) C : Commercial Temperature

,Normal Power Range

I : Industrial Temperature

,Normal Power Range

L : Commercial Temperature

,Low Power Range

P : Industrial Temperature

,Low Power Range

J : 36-SOJ

K : 36-SOJ(LF)

T : 44-TSOP2

U : 44-TSOP2(LF)

512K x8

K6R4008V1D-J(K,T,U)C(I) 08/10

K6R4016C1D-J(K,T,U,E)C(I) 10

K6R4016V1D-J(K,T,U,E)C(I,L,P) 08/10

3.3

8/10

J : 44-SOJ

K : 44-SOJ(LF)

T : 44-TSOP2

U : 44-TSOP2(LF)

E : 48-TBGA

256K x16

3.3

8/10

Rev 4.0

Mar. 2004

- 2 -

123 4 5 6 7...12

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