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K4S561633F-XG1L0

更新时间： 2024-01-22 20:17:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	114K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, BOC-54

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K4S561633F-XG1L0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	长度：	11 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

K4S561633F-XG1L0 数据手册

K4S561633F - X(Z)E/N/G/C/L/F

Mobile-SDRAM

4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54BOC

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• 3.0V & 3.3V power supply.

The K4S561633F is 268,435,456 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 4,196,304 words by 16 bits,

fabricated with SAMSUNG's high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock and I/O transactions are possible on every

clock cycle. Range of operating frequencies, programmable

burst length and programmable latencies allow the same device

to be useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

• LVCMOS compatible with multiplexed address.

• Four banks operation.

• MRS cycle with address key programs.

-. CAS latency (1, 2 & 3).

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).

-. Burst type (Sequential & Interleave).

• EMRS cycle with address key programs.

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock

• Burst read single-bit write operation.

• Special Function Support.

-. PASR (Partial Array Self Refresh).

-. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

• DQM for masking.

• Auto refresh.

• 64ms refresh period (8K cycle).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• 54Balls BOC with 0.8mm ball pitch

( -X : Leaded, -Z : Lead Free).

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface

Package

K4S561633F-X(Z)E/N/G/C/L/F75

K4S561633F-X(Z)E/N/G/C/L/F1H

K4S561633F-X(Z)E/N/G/C/L/F1L

133MHz(CL=3)

105MHz(CL=2)

54 BOC

Leaded (Lead Free)

LVCMOS

105MHz(CL=3)^*1

- X(Z)E/N/G : Normal / Low / Low Power, Extended Temperature(-25°C ~ 85°C)

- X(Z)C/L/F : Normal / Low / Low Power, Commercial Temperature(-25°C ~ 70°C)

NOTES :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

2. Samsung are not designed or manufactured for use in a device or system that is used under circumstance in which human life is potentially at stake.

Please contact to the memory marketing team in samsung electronics when considering the use of a product contained herein for any specific

purpose, such as medical, aerospace, nuclear, military, vehicular or undersea repeater use.

February 2004

12 3 4 5 6 7...12

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