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K4S280432E-TC7C

更新时间： 2024-01-30 17:31:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 59K
描述
Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S280432E-TC7C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.91
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G54JESD-609代码：e0
长度：22.22 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP54,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.22 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K4S280432E-TC7C 数据手册

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K4S280432E  
CMOS SDRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Voltage on any pin relative to Vss  
Voltage on VDD supply relative to Vss  
Storage temperature  
Symbol  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TSTG  
Value  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-55 ~ +150  
1
Unit  
V
V
°C  
W
Power dissipation  
PD  
Short circuit current  
IOS  
50  
mA  
Note :  
Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.  
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.  
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.  
DC OPERATING CONDITIONS  
Recommended operating conditions (voltage referenced to VSS = 0V, TA = 0 to 70°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
VDD, VDDQ  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
-0.3  
2.4  
-
Typ  
Max  
3.6  
Unit  
V
Note  
3.3  
Input logic high voltage  
Input logic low voltage  
Output logic high voltage  
Output logic low voltage  
Input leakage current  
3.0  
VDD+0.3  
0.8  
V
1
VIL  
0
-
V
2
VOH  
-
V
IOH = -2mA  
IOL = 2mA  
3
VOL  
-
0.4  
V
ILI  
-10  
-
10  
uA  
Notes :  
1. VIH (max) = 5.6V AC.The overshoot voltage duration is £ 3ns.  
2. VIL (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.  
3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ,  
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.  
CAPACITANCE (VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF =1.4V ± 200 mV)  
Pin  
Symbol  
CCLK  
CIN  
Min  
2.5  
2.5  
2.5  
4.0  
Max  
4.0  
5.0  
5.0  
6.5  
Unit  
pF  
Note  
Clock  
1
2
2
3
RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM  
Address  
pF  
CADD  
COUT  
pF  
DQ0 ~ DQ3  
pF  
Notes :  
1. -75 only specify a maximum value of 3.5pF  
2. -75 only specify a maximum value of 3.8pF  
3. -75 only specify a maximum value of 6.0pF  
Rev.1.0 Nov. 2002  
12345678...11

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与K4S280432E-TC7C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4S280432E-TC7C0 SAMSUNG Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S280432E-TL75 SAMSUNG 128Mb E-die SDRAM Specification

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