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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4S280432E-TL75T | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S280432E-TL7C | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S280432E-TL7C0 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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|
| K4S280432F | SAMSUNG | 128Mb F-die SDRAM Specification |
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| K4S280432F-TC75 | SAMSUNG | 128Mb F-die SDRAM Specification |
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| K4S280432F-TCL75 | SAMSUNG | 128Mb F-die SDRAM Specification |
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