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K4H510738E-TCB00

更新时间： 2024-09-26 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	192K
描述
DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED, TSOP2-66

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K4H510738E-TCB00 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	ATSOP,	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.29
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ATSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.59 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

DDR SDRAM stacked 512Mb E-die (x4/x8)

DDR SDRAM

Stacked 512Mb E-die DDR SDRAM Specification

(x4/x8)

Revision 1.0

Rev. 1.0 July. 2003

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H510738E-TLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED,
K4H510738E-TLAA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED,
K4H510738E-TLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED,
K4H510838A-TCA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838A-TCA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838A-TCB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838A-TLA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838A-TLA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838A-TLB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H510838B-GC/LA2	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR SDRAM Specification