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K4F160411C-BC500

更新时间： 2024-02-15 07:02:33
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 225K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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K4F160411C-BC500 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ,
针数：24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.32访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J24长度：17.155 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：7.62 mm

K4F160411C-BC500 数据手册

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K4F170411C, K4F160411C  
K4F170412C, K4F160412C  
CMOS DRAM  
4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 4,194,304 x 4 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access time (-50 or -60), power con-  
sumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-  
before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version.  
This 4Mx4 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power  
consumption and high reliability. It may be used as main memory for high level computer, microcomputer and personal computer.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Fast Page Mode operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
- K4F170411C-B(F) (5V, 4K Ref.)  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- K4F160411C-B(F) (5V, 2K Ref.)  
• Fast parallel test mode capability  
- K4F170412C-B(F) (3.3V, 4K Ref.)  
- K4F160412C-B(F) (3.3V, 2K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
5V  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
3.3V  
Speed  
4K  
2K  
396  
360  
4K  
2K  
-50  
-60  
324  
288  
495  
440  
605  
550  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh Refresh period  
cycle  
VCC  
5V  
RAS  
CAS  
W
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
Nor-  
L-ver  
VBB Generator  
K4F170411C  
4K  
2K  
64ms  
K4F170412C 3.3V  
K4F160411C 5V  
Data in  
128ms  
Buffer  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Refresh Counter  
32ms  
K4F160412C 3.3V  
DQ0  
to  
DQ3  
Memory Array  
4,194,304 x 4  
Cells  
• Performance Range  
A0-A11  
(A0 - A10)*1  
A0 - A9  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Speed  
-50  
Remark  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
tRC  
tPC  
Data out  
Buffer  
13ns  
90ns  
35ns 5V/3.3V  
Column Decoder  
OE  
(A0 - A10)*1  
-60  
15ns 110ns 40ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 2K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...20

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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