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K4E660812D-TC60

更新时间： 2023-01-03 10:36:24

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812D-TC60 数据手册

K4E660812D,K4E640812D

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4E660812D-T

• K4E640812D-T

• K4E660812D-J

• K4E640812D-J

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

32 VSS

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

RAS

VSS

31 DQ7

30 DQ6

29 DQ5

28 DQ4

27 VSS

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

VSS

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VCC 16

20 A8

19 A7

18 A6

17 VSS

VSS

VCC

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 7

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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K4E660812D-TP600	SAMSUNG	DRAM	获取价格
K4E660812D-TP60T	SAMSUNG	DRAM	获取价格
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K4E660812E-JI45	SAMSUNG	EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格