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K4E640812D-JP450

更新时间： 2024-02-21 11:50:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	194K
描述
DRAM

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技术参数
数据手册

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K4E640812D-JP450 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

K4E640812D-JP450 数据手册

Industrial Temperature

K4E660812D,K4E640812D

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4E660812D-T

• K4E640812D-T

• K4E660812D-J

• K4E640812D-J

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

VSS

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

RAS

VSS

31 DQ7

30 DQ6

29 DQ5

28 DQ4

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

VSS

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

VSS

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

20 A8

19 A7

18 A6

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VSS

VCC

VSS

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 7

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...21

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与K4E640812D-JP450相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4E640812D-JP45T	SAMSUNG	DRAM	获取价格
K4E640812D-JP50	SAMSUNG	DRAM	获取价格
K4E640812D-JP500	SAMSUNG	DRAM	获取价格
K4E640812D-JP600	SAMSUNG	DRAM	获取价格
K4E640812D-JP60T	SAMSUNG	DRAM	获取价格
K4E640812D-TC60	SAMSUNG	EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	获取价格