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K4E640812D-JP450

更新时间： 2024-02-03 09:00:57
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 194K
描述
DRAM

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K4E640812D-JP450 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.75
Base Number Matches：1

K4E640812D-JP450 数据手册

 浏览型号K4E640812D-JP450的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4E640812D-JP450的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4E640812D-JP450的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4E640812D-JP450的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4E640812D-JP450的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4E640812D-JP450的Datasheet PDF文件第9页 
Industrial Temperature  
K4E660812D,K4E640812D  
CMOS DRAM  
AC CHARACTERISTICS (Continued)  
-45  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Data hold time  
7
7
10  
ns  
ms  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
us  
ns  
ns  
9
tDH  
Refresh period (Normal)  
tREF  
tREF  
tWCS  
tCWD  
tRWD  
tAWD  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
tCPA  
tHPC  
tHPRWC  
tC P  
64  
64  
64  
Refresh period (L-ver)  
128  
128  
128  
Write command set-up time  
CAS to W delay time  
0
24  
57  
35  
5
0
27  
64  
39  
5
0
32  
77  
47  
5
7
7
7
7
RAS to W delay time  
Column address toW delay time  
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)  
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)  
RAS to CAS precharge time  
Access time from CAS precharge  
Hyper Page cycle time  
10  
5
10  
5
10  
5
24  
28  
35  
3
17  
47  
6.5  
45  
24  
20  
47  
7
25  
56  
10  
60  
35  
14  
14  
Hyper Page read-modify-write cycle time  
CAS precharge time (Hyper page cycle)  
RAS pulse width (Hyper page cycle)  
RAS hold time from CAS precharge  
OE access time  
200K  
12  
50  
30  
200K  
13  
200K  
15  
tRASP  
tRHCP  
tOEA  
tOED  
tCPWD  
tOEZ  
tOEH  
tWTS  
tWTH  
tWRP  
tWRH  
tDOH  
tREZ  
tWEZ  
tWED  
tOCH  
tCHO  
tOEP  
tWPE  
tRASS  
tRPS  
tCHS  
3
6
OE to data delay  
8
36  
3
10  
41  
3
13  
52  
3
CAS precharge to W delay time  
Output buffer turn off delay time from OE  
OE command hold time  
11  
13  
13  
5
5
5
Write command set-up time (Test mode in)  
Write command hold time (Test mode in)  
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)  
W to RAS hold time (C-B-R refresh)  
Output data hold time  
10  
10  
10  
10  
4
10  
10  
10  
10  
5
10  
10  
10  
10  
5
11  
11  
Output buffer turn off delay from RAS  
Output buffer turn off delay from W  
W to data delay  
3
13  
13  
3
13  
13  
3
13  
13  
6,13  
6
3
3
3
8
15  
5
15  
5
OE to CAS hold time  
5
CAS hold time to OE  
5
5
5
OE precharge time  
5
5
5
W pulse width (Hyper Page Cycle)  
RAS pulse width (C-B-R self refresh)  
RAS precharge time (C-B-R self refresh)  
CAS hold time (C-B-R self refresh)  
5
5
5
100  
74  
-50  
100  
90  
-50  
100  
110  
-50  
15,16,17  
15,16,17  
15,16,17  
1...3456789...21

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