生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.32 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 | 长度: | 20.96 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16MX4 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.76 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
K4E640412E-JP60 | SAMSUNG |
功能相似 |
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out | |
MT4LC16M4H9DJ-5 | MICRON |
功能相似 |
DRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4E640412E-JP60 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out | |
K4E640412E-JP60T | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, | |
K4E640412E-TI45 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out | |
K4E640412E-TI450 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, | |
K4E640412E-TI45T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 | |
K4E640412E-TI50 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out | |
K4E640412E-TI50T | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, | |
K4E640412E-TI60 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out | |
K4E640412E-TI60T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 | |
K4E640412E-TP45 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |