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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 43.7 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 40.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JTXV1N6476 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JTXV2N3418 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5 |
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| JTXV2N3419 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO- |
|
| JTXV2N3421 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO- |
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| JTXV2N3506 | MOTOROLA |
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3000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
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| JTXV2N3507 | MOTOROLA |
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3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD, 79-04, TO-39, 3 PIN |
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| JTY2-10-K | MSYSTEM |
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Plug-in Signal Conditioners M-UNIT |
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| JTY2-10-K/Q | MSYSTEM |
获取价格 |
Plug-in Signal Conditioners M-UNIT |
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| JTY2-10-P | MSYSTEM |
获取价格 |
Plug-in Signal Conditioners M-UNIT |
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| JTY2-10-P/Q | MSYSTEM |
获取价格 |
Plug-in Signal Conditioners M-UNIT |
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