生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.79 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最小击穿电压: | 5.6 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 1500 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 5 W |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JTX1N6471 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
JTX1N6474US.TR | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, | |
JTX1N6476 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 51.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
JTX210 | JAUCH |
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4 Pad Version 1.6 x 1.2 mm | |
JTX-2-10T | MINI |
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RF Transformer, 50MHz Min, 1000MHz Max, 1:1.414, | |
JTX2-ED8054/1 | MINI |
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RF Transformer, 0.7MHz Min, 400MHz Max | |
JTX2-ED8054/1+ | MINI |
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RF Transformer, 0.7MHz Min, 400MHz Max | |
JTX2N3418 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5 | |
JTX2N3419 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO- | |
JTX2N3506 | MOTOROLA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD |