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JST08C-800B

更新时间： 2023-12-06 20:11:17

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	970K
描述
四象限双向可控硅

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JST08C-800B 数据手册

JST08C-800B

JieJie Microelectronics CO. , Ltd.

FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS

FIG.2: RMS on-state current versus case

on-state current

temperature

I_T(RMS)(A)

P(W)

108℃

100

125

T_C(℃)

I_T(RMS)(A)

FIG.3: Surge peak on-state current versus

FIG.4: On-state characteristics

number of cycles

I_TSM(A)

I_TM(A)

Tj=25℃ typ

Tj=25℃ max

Tj=125℃ typ

T =25℃,t_p=20ms,one cycle,sine

0.5

1.5

_TM(V)

2.5

1.E+0

1.E+1

1.E+2

1.E+3

1.E+4

1.E+5

Number of cycles

FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state current

for a sinusoidal pulse with width t_p<20ms, and

corresponding value of I²t (Ⅰ-Ⅱ: dI/dt<100A/μs;

FIG.6: Relative variations of gate trigger

current, holding current and latching

current versus junction temperature

Ⅲ-Ⅳ: dI/dt<50A/μs)

I_TSM(A), I²t(A²s)

_GT,I_H,I_L(Tj)/I_GT,I_H,I_L(T_j=25℃)

IGT(I/II/III)

2.5

dI/dt_(I/II)

1000

100

IGT(IV)

I_TSM

dI/dt_(III/IV)

I²t

1.5

0.5

0.01

0.1

‐40

‐20

100

120

140

T_j(℃)

t_p(ms)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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