Datasheet > JD1051SB

JD1051SB

更新时间： 2024-03-03 10:08:46

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JD1051SB 数据手册

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

JD1051S

高性能、副边同步整流功率开关

7.功能描述

JD1051S 是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开

关，内置超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升系统效率。 JD1051S 支持 Low Side

同步整流架构，也支持系统断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。

JD1051S 采用输出直接供电，无需 VDD 辅助绕组及 VDD 电容，降低了系统成本。

7.1系统启动

系统开机以后，5V 输出电压直接给 VDD 供电。

当 VDD 电压低于欠压保护阈值后（3.2V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时

内部同步整流 MOSFET 进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流 MOSFET

的体二极管实现续流。当 VDD 电压高于 VDD 开启电压后（3.4V 典型值），芯片

开始工作。芯片内部同步整流 MOSFET 只在副边续流期间才能开通。

7.2开通阶段

初始阶段同步整流 MOSFET 处于关闭状态，副边电流经 MOSFET 体二极管

实现续流，同时在体二极管两端形成一负向 Vds 电压 (<-500mV)。该负向 Vds 电

压远小于 JD1051S 内部 MOSFET 开启检测阈值，故经过开通延迟（Td_on，约

20ns）后内部 MOSFET 开通（如图 1）。

7.3关断阶段

在同步整流 MOSFET 导通期间，JD1051S 采样 MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。

当 Vd 电压高 MOSFET 关断阈值，内部 MOSFET 将在关断延迟（Td_off，约 20ns）

后被关断（如图 1）。

图 1

7.5前沿消隐 (LEB)

在内部同步整流 MOSFET 开通瞬间，芯片漏-源(Drain-Source) 之间会产生电

压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成

有前沿消隐电路 (LEB)。在 LEB 时间（约 1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法

关断内部同步整流 MOSFET，直至消隐时间结束。

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B栋 1-3层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

Rev.2.0

Rev.1.0

第 5 页

1 2 3 456 7

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
JD1051SS	JINGDAO	SOP-8	获取价格
JD1051ST	JINGDAO	SOP-8	获取价格
JD1221A	JINGDAO	SOT23-6	获取价格
JD1AB-125	KYOCERA AVX	Feed Through Capacitor, 1 Function(s), 100V, 15A,	获取价格
JD1AB-704	KYOCERA AVX	Feed Through Capacitor, 1 Function(s), 100V, 15A,	获取价格
JD1ABB125	KYOCERA AVX	Cylindrical EMI Filters	获取价格