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JCT812H

更新时间： 2023-12-06 20:11:51

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	988K
描述
标准型单向可控硅

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JCT812H 数据手册

JCT812H

JieJie Microelectronics CO. , Ltd.

FIG.1 Maximum power dissipation versus

FIG.2: RMS on-state current versus case

RMS on-state current

temperature

I_T(RMS)(A)

P(W)

63℃

100

125

I_T(RMS)(A)

T_C(℃)

FIG.3: Surge peak on-state current versus

number of cycles

FIG.4: On-state characteristics

I_TSM(A)

160

I_TM(A)

100

Tj=25℃ typ

Tj=25℃ max

Tj=125℃ typ

T_c=25℃,t_p=10ms,one cycle,half-sine

140

120

100

0.5

1.5

V_TM(V)

2.5

1.E+0

1.E+1

1.E+2

1.E+3

1.E+4

1.E+5

Number of cycles

FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state

current for a sinusoidal pulse with width

t_p<10ms, and corresponding value of I²t

(dI/dt<150A/μs)

FIG.6: Relative variations of gate trigger

current, holding current and latching current

versus junction temperature

I_TSM(A), I²t(A²s)

I_GT,I_H,I_L(T_j)/I_GT,I_H,I_L(T_j=25℃)

2.5

IGT

1000

I_TSM

IL&IH

dI/dt

I²t

100

1.5

0.5

0.01

0.1

-40

-20

100

120

140

T_j(℃)

t_p(ms)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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