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JCT812F

更新时间： 2023-12-06 20:10:36

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	1036K
描述
标准型单向可控硅

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JCT812F 数据手册

JCT812F

JieJie Microelectronics CO. , Ltd.

Peak gate current (t_p=20μs , T_j=125℃)

Average gate power dissipation (T_j=125℃)

Peak gate power

I_GM

P_G(AV)

P_GM

Peak pulse voltage

(T_j=25℃; non-repetitive,off-state;FIG.7)

V_pp

0.5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_j=25℃ unless otherwise specified)

Value

Symbol

Test Condition

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

I_GT

V_GT

V_GD

I_L

V_D=12V R_L=33Ω

V_D=V_DRMT_j=125℃ R_L=3.3KΩ

I_G=1.2I_GT

0.2

V/μs

I_H

I_T=500mA

dV/dt

t_on

V_D=540V Gate Open T_j=125℃

500

I_G=20mA I_A=200mA I_R=20mA

T_j=25℃

μs

t_off

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

T_j=25℃

Value(MAX.)

Unit

V_TM

VTO

I_TM=24A t_p=380μs

Threshold voltage

Dynamic resistance

1.5

0.8

T_j=125℃

T_j=25℃

mΩ

μA

I_DRM

I_RRM

V_D=V_DRMV_R=V_RRM

T_j=125℃

0.25

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

junction to case(DC)

junction to ambient (DC)

Value

2.5

Unit

℃/W

R_th(j-c)

R_th(j-a)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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