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JANTXV2N1893S

更新时间： 2024-02-14 22:52:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N1893S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/182	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

JANTXV2N1893S 数据手册

2N720A; 2N1893; 2N1893S JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

ON CHARACTERISTICS ⁽³⁾

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.1 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_C= 150 mAdc, V_CE= 10 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 150 mAdc, I_B= 15 mAdc

Base-Emitter Voltage

h_FE

120

5.0

1.3

Vdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C= 150 mAdc, I_B= 15 mAdc

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit

Forward Current Transfer Ratio

½h_fe½

I_C= 50 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 20 MHz

Small-Signal Short-Circuit Forward Current Transfer Ratio

V_CE=5.0 Vdc, I_C= 1.0 mAdc

V_CE=10 Vdc, I_C= 5.0 mAdc, f = 1.0 kHz

Small-Signal Short-Circuit Input Impedance

V_CB= 10 Vdc, I_C= 5.0 mAdc

Small-Signal Short-Circuit Output Admittance

V_CB= 10 Vdc, I_C= 5.0 mAdc

Output Capacitance

3.0

h_fe

100

8.0

0.5

h_ib

h_ob

P^F

4.0

C_obo

V_CB= 10 Vdc, I_E= 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Time + Turn-Off Time

^ton + ^toff

(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/182)

(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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