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JANTXV1N6311

更新时间： 2024-11-30 20:14:51
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

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JANTXV1N6311 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-XALF-W2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/533F标称参考电压：3 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
最大电压容差：5%工作测试电流：20 mA
Base Number Matches：1

JANTXV1N6311 数据手册

 浏览型号JANTXV1N6311的Datasheet PDF文件第2页 
1N6309  
THRU  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/533  
1N6320  
• 500 mW ZENER DIODES  
• NON CAVITY CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
0.056/0.075  
MAXIMUM RATINGS  
1.42/1.91  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
3
Power Dissapation: 500 mW @ T =+75°C @ L= / ”  
L
8
Power Derating: 5mW/°C above T =+75°C  
L
Forward Voltage: 1.4V dc @ I =1A dc (Pulsed)  
F
0.140/0.180  
3.55/4.57  
POLARITY  
BAND  
(CATHODE)  
1.00  
25.4  
0.018/0.022  
0.46/0.56  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
V
NOM.  
±5% @  
V
MIN.  
@I  
250µ A  
I
Z
@
Z
@
250µ A  
I
V
(reg)  
I
V
I
I
N
D
Z2  
Z1  
Z2  
Z
ZK  
ZM  
Z
ZSM  
SURGE  
R
R1  
@
R2  
@
TEST  
CURRENT  
@250 µA  
1-3 kHz  
150ºC  
TYPE  
I
▲
VZ  
(1)  
25ºCTA=  
Z1  
Z2  
I
FIGURE 1  
Z2  
VOLTS VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
VOLTS AMPS VOLTS µ A  
µ A µ V/ Hz  
1N6309  
1N6310  
1N6311  
1N6312  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
1.1  
1.2  
1.3  
1.5  
20  
20  
20  
20  
30  
30  
29  
24  
1200  
1300  
1400  
1400  
177  
157  
141  
128  
1.5  
1.5  
1.5  
1.6  
2.5  
2.2  
2.0  
1.8  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
100  
60  
30  
200  
150  
100  
20  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
DESIGN DATA  
5.0  
1N6313  
1N6314  
1N6315  
1N6316  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
1.8  
2.0  
2.4  
2.8  
20  
20  
20  
20  
22  
20  
18  
16  
1400  
1700  
1400  
1500  
117  
108  
99  
1.6  
1.6  
0.9  
0.5  
1.65  
1.5  
1.4  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
3.0  
2.0  
2.0  
5.0  
12  
12  
12  
12  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
CASE: Hermetically sealed, Glass “D”  
Body per MIL-PRF- 19500/533. D-5D  
90  
1.27  
1N6317  
1N6318  
1N6319  
1N6320  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
3.3  
4.3  
5.2  
6.0  
20  
20  
20  
20  
14  
8.0  
3.0  
3.0  
1300  
1200  
800  
83  
76  
68  
63  
0.4  
0.4  
0.3  
1.17  
1.10  
0.97  
1.23  
2.0  
2.5  
3.5  
4.0  
5.0  
5.0  
5.0  
2.0  
12  
10  
10  
50  
1.0  
2.0  
5.0  
5.0  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
400  
0.35  
NOTE 1  
▲ VZ = V @ 20 mAdc minus V @ 2 mAdc  
Z Z  
THERMAL RESISTANCE: (R  
˚C/W maximum  
): 250  
OJL  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 15  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING POSITION: Any  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6311C MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JANTXV1N6311CUS MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JANTXV1N6311D MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JANTXV1N6311DUS MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
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JANTXV1N6312 MICROSEMI

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 		500 mW GLASS ZENER DIODES
JANTXV1N6312C MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
JANTXV1N6312CUS MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JANTXV1N6312D MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN
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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

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