5秒后页面跳转
JANTXV1N6105 PDF预览

JANTXV1N6105

更新时间: 2024-02-12 13:35:53
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6105 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XELF-N2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.28最小击穿电压:8.19 V
击穿电压标称值:9.1 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:13.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-N2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:6.9 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:NO LEAD
端子位置:ENDBase Number Matches:1

JANTXV1N6105 数据手册

 浏览型号JANTXV1N6105的Datasheet PDF文件第1页 

JANTXV1N6105 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6105 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与JANTXV1N6105相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6105A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6105A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
JANTXV1N6105AUS SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANTXV1N6105US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
JANTXV1N6106 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6106 SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JANTXV1N6106A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6106A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
JANTXV1N6106AUS MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE,
JANTXV1N6106US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER