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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANTXV1N6101
JANTXV1N6101 PDF预览

JANTXV1N6101

更新时间： 2024-01-03 09:38:52
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

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JANTXV1N6101 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDIP-T14Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.38Is Samacsys：N
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDIP-T14
JESD-609代码：e0端子数量：14
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.6 W认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/474E最大重复峰值反向电压：65 V
最大反向电流：0.025 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：20 V子类别：Other Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANTXV1N6101 数据手册

  
1N6101  
A Microsemi Company  
580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02472  
Phone: 617-924-9280  
Fax: 617-924-1235  
DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION  
MONOLITHIC AIR ISOLATED  
DIODE ARRAY  
16  
15  
1
2
3
4
FEATURES:  
14  
13  
· HERMETIC CERAMIC PACKAGE  
· Bv > 75V at 5uA  
· Ir < 100nA at 40V  
· C < 4.0 pF  
12  
11  
5
6
7
10  
9
8
Absolute Maximum Ratings:  
Symbol  
Parameter  
Limit  
Unit  
.320  
.290  
.310  
.220  
.200  
MAX  
.005  
MIN  
VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage  
75  
Vdc  
.200  
.100  
IO  
*1 * 3 Continuous Forward Current  
*1 Peak Surge Current (tp= 1/120 s)  
*4 Power Dissipation per Junction @ 25°C  
300  
500  
400  
600  
mAdc  
mAdc  
mW  
.023  
.014  
IFSM  
PT1  
PT2  
Top  
Tstg  
.070  
.030  
.785  
MAX  
*4  
Power Dissipation per Package @ 25°C  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
mW  
-65 to +150 °C  
-65 to +200 °C  
.098  
MAX  
.100  
BSC  
.060  
.015  
NOTE 1: Each Diode  
NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%  
NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C  
NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C  
.015  
.008  
O-15  
Electrical Characteristics (Per Diode) @  
25°C unless otherwise specified  
PACKAGE OUTLINE  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Max Unit  
Vf1  
IR1  
IR2  
Ct  
tfr  
trr  
Forward Voltage  
Reverse Current  
Reverse Current  
Capacitance (pin to pin)  
Forward Recovery Time  
If = 100mAdc *1  
VR = 40 Vdc  
VR = 20 Vdc  
VR = 0Vdc; f = 1 MHz  
If = 100mAdc  
1
Vdc  
0.1 uAdc  
25 nAdc  
4.0 pF  
15  
10  
5
ns  
ns  
mV  
Reverse Recovery Time If = IR = 10mAdc, irr = 1 mAdc, RL = 100 ohms  
Forward Voltage Match If = 10 mA  
VF5  
NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge  
Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other  
information at any time without prior notice.  
MSC1016.PDF Rev - 11/25/98  
1

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JANTXV1N6101 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N6101 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16
JANTX1N6101 MICROSEMI

完全替代

 MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY
1N6101 MICROSEMI

完全替代

 MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6102A SEMTECH

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JANTXV1N6102AUS SEMTECH

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANTXV1N6102US SEMTECH

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