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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 1% |
| 工作测试电流： | 1 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5525DTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| JANTXV1N5525DUR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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| JANTXV1N5525DUR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| JANTXV1N5525DUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| JANTXV1N5525DURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| JANTXV1N5525DURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| JANTXV1N5525TR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| JANTXV1N5525UR | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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| JANTXV1N5525UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| JANTXV1N5525UR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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