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JANTXV1N4500-1

更新时间: 2024-02-20 05:42:21
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 103K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35

JANTXV1N4500-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.81其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/403
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.006 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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